铌酸锂电光调制器

Thorlabs自由空间电光(EO)振幅和相位铌酸锂调制器是我们在晶体生长和电光材料方面经验的结晶。我们的电光调制器使用掺氧化镁的铌酸锂，用于高功率工作。调制器有一个SMA RF输入端，直接兼容我们的HVA200高压放大器(请见下方)。我们提供振幅和相位调制器，既有非共振直流耦合型，还有高Q共振交流耦合型，并为各种宽工作波长设计了增透膜。

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驱动电光调制器所需的半波电压与光信号波长相关。
红线和蓝线对应的是非共振电光调制器，
绿线对应的是共振调制器。
共振调制器显示的半波电压是20 MHz版本的典型值。

特性

• 高性能，紧凑封装
• 非共振直流耦合或高Q共振交流耦合
• 2 mm直径通光孔径
• 四种波长范围：400 - 600 nm、600 - 900 nm、900 - 1250 nm和1250 - 1650 nm
• 掺氧化镁的铌酸锂晶体
• SMA RF调制输入接头
• DC到100 MHz非共振型号
• 20 MHz标准共振型号
• 可根据要求定制0.1 - 100 MHz的共振频率

DC耦合非共振调制器

我们的非共振电光调制器由一个封装在外壳内的电光晶体构成，经过优化，可在DC至100 MHz的任何频率下工作。用户必须提供一个连接到SMA射频输入端的外部高压驱动器，以实现所需的调制。HVA200驱动器可用于高达1 MHz的频率。放大器相关需求请查看规格标签。这些振幅和相位调制器可选-C4*(400 - 600 nm)、-C1(600 - 900 nm)、-C2(900 - 1250 nm)或-C3(1250 - 1650 nm)增透膜。关于镀膜的反射率请看曲线标签。

高Q共振调制器

Thorlabs的共振电光调制器的驱动电压要低得多，但利用内置的高Q共振电路，可在固定频率下工作。我们的标准共振调制器可选振幅和相位调制版本，工作频率20 MHz，Q值约为15，镀有-C1(600 – 900 nm)增透膜。请注意，其他定制共振频率下的Q值可能会不同。关于镀膜反射率的详细信息，请看曲线标签。我们提供标准和定制镀膜选项，用户还可指定从0.1到100 MHz的共振频率。请联系技术支持techsupport-cn@thorlabs.com讨论您的应用需求。

驱动器和配件

因为负载几乎为纯电容性，所以驱动这些非共振、自由空间调制器有时很有难度。我们的HVA200高压放大器具有低噪声、±200 V输出和1 MHz带宽，在满足特定工作条件时，非常适合驱动我们的非共振EO调制器。400 V输出摆幅使HVA200能够完全调制我们的非共振振幅调制器，波长高达~1200 nm，还可调制我们所有波长的非共振相位调制器。HVA200还提供可调直流偏压，可对振幅调制器的正交工作点进行电学补偿，并有效利用±200 V双极输出摆幅。

为了驱动频率高于1 MHz或波长更长的非共振调制器，需要具有足够输出功率、线性度和带宽的专用放大器来驱动电容性负载。这些调制器的性能与标准50 Ω负载不同。详细信息，请联系技术支持techsupport-cn@thorlabs.com。

另一方面，共振调制器的共振电路在共振频率下被调整为50 Ω负载。这意味着它们可以用为50 Ω阻抗设计的标准频率发生器以较低的电压驱动。请注意，发生器必须调谐到与调制器设计频率完全相同的频率。Thorlabs可以定制共振调制器，使其工作在0.1到100 MH之间的任何频率上。详细信息，请联系技术支持techsupport-cn@thorlabs.com。

Thorlabs还提供格兰汤普森偏振器安装转接件，以及将调制器集成到FiberBench准直硬件中的安装座(见下)。